مقایسه ویژگی نانو ساختاری اکسید آلومینیوم و اکسید تیتانیوم

نویسندگان

گروه فیزیک ، دانشکده علوم پایه، دانشگاه مازندران، بابلسر

چکیده

در سال های اخیر، موادی با ثابت دی الکتریک بالا نظیر اکسید آلومینیوم و اکسید تیتانیوم به جای گیت اکسید سیلیکون فرانازک مورد مطالعه قرار گرفته اند. در کار حاضر چنین اکسیدهایی در دماهای مختلف و تحت شرایط فراخلا بر روی زیرلایه ی Si(100) رشد یافته اند. نتایج بدست آمده نشان می دهند که اکسید آلومینیوم از ساختار مناسب تری نسبت به ساختار اکسید تیتانیوم برخوردار است و می تواند به عنوان یک گیت دی الکتریک مناسب در تولیدات آتی نانو ترانزیستورهای میسفت بکار رود.

کلیدواژه‌ها


عنوان مقاله [English]

Comparison of Nano Structural Properties of Al2O3 and TiO2 Films

نویسندگان [English]

  • A. Bahari
  • M. Roodbari Shahmiri
  • N. Mirnia
Department of Physics, University of Mazandaran, Babolsar
چکیده [English]

Recently, high – K materials such as Al2O3 and TiO2 films have been studied to replace ultra thin gate silicon dioxide film. In the present work, these films were grown on the top of Si(100) surface at different temperatures and under ultra high vacuum conditions. The obtained results showed that Al2O3 has a structure better than that of TiO2 and thus can be used as a good gate dielectric for future MISFET (Metal – Insulator- Semiconductor- Field – Effect- Transistors) devices.

کلیدواژه‌ها [English]

  • ultra thin film
  • Nano structures
  • gate dielectric and metallic oxides

تحت نظارت وف ایرانی